【摘 要】
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在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模型拟合迁移率温度依赖曲线,研究了高低温下In
【机 构】
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淮阴师范学院计算机科学与技术学院,杭州杰华特微电子有限公司
【基金项目】
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江苏省高等学校自然科学基金项目(17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005)
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在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模型拟合迁移率温度依赖曲线,研究了高低温下InAlN/GaN异质结2DEG的迁移率机制.结果表明,随着温度由100 K逐渐增加至525 K,2DEG迁移率随温度增加而降低,低于200 K时平缓降低,高于200 K时则快速降低.多种散射模型拟合迁移率温度依赖数据表明,产生上述现象的原因是低温下(<200 K),2DEG迁移率主要受界面粗糙散射影响,随着温
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