【摘 要】
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对于单模ＧａＡｌＡｓ半导体激光器，使用一种简单的闪耀光栅外部弱反馈构型，迫使其工作在８５２．１１ｎｍ波长处，得到了２．２ＧＨｚ的频率连续调谐范围，获得的输出功率约为半导体激光器自由运转时的９０％以上。
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对于单模ＧａＡｌＡｓ半导体激光器，使用一种简单的闪耀光栅外部弱反馈构型，迫使其工作在８５２．１１ｎｍ波长处，得到了２．２ＧＨｚ的频率连续调谐范围，获得的输出功率约为半导体激光器自由运转时的９０％以上。
For a single-mode GaAlAs semiconductor laser, a simple blazed grating external weak feedback configuration is used, which forces it to work at a wavelength of 852.11nm and obtains a continuous frequency tuning range of 2.2GHz. The obtained output power is about the same as that of a semiconductor laser More than 90% of operation time.
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