AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zero_alan

【摘要】

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利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方

【作者】

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王新华王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春

【机构】

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中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年z1期

【关键词】

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AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)

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利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.

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