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5. Hole Mobility in Poly（N—vinylcarbazole） Thin Film Based on Silicium^①②

Hole Mobility in Poly（N—vinylcarbazole） Thin Film Based on Silicium^①②

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hou_sen

【摘 要】

：

The mobilities of holes in thin,spin-casting films of poly(N-vinylcarbazole)(PVK) based on silicium are measured using a time-of-flight(TOF)technique.The drift

【作 者】

：

CHENBaijun WANGXiaowei 等 

【机 构】

：

StateKeyLab.onIntegratedOptoelectronics,StateKeyLab.onInte

【出 处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

1997年4期

【关键词】

：

有机半导体 移动性 漂移时间 Mobility Organic Semiconductor Time of Flight 

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The mobilities of holes in thin,spin-casting films of poly(N-vinylcarbazole)(PVK) based on silicium are measured using a time-of-flight(TOF)technique.The drift of hole mobility is strongly dependent on the electric field and temperature.At room temperatur

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