【摘 要】
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设计了一种击穿电压大于1700V的SiCMOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5&#
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设计了一种击穿电压大于1700V的SiCMOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×10^15cm^-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时，导通电流大于1A，击穿电压高于1800V。
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