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用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构。利用俄歇电子能谱,X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅生成,这反映了外延层Si衬底间过渡区很窄;外延层内组成元素Ce,O分布均匀,为正化学比CeO2相。