掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响

来源 :南开大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hfghtyr56

【摘要】

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研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响．实验结果发现，掺入半径较大杂质原子的硅片，空洞型微缺陷密度相对较高，掺入半径较小杂质原子

【作者】

：

郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英

【机构】

：

天津大学电子信息工程学院,河北工业大学材料学院

【出处】

：

南开大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

CZSI 空洞型微缺陷 FPDS 快速热处理 CZSi void defect FPDs RTA

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研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响．实验结果发现，掺入半径较大杂质原子的硅片，空洞型微缺陷密度相对较高，掺入半径较小杂质原子的硅片，空洞型微缺陷的密度相对较低．高温快速热处理后，硅片中FPDs的密度都有很大程度降低，而Ar气氛退火对void微缺陷密度的影响要优于N2气氛．轻掺B-硅片在O2气氛退火后FPDs密度下降最多，而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPDs密度下降最少．

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