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从基本半导体方程出发,用奇异摄动方法建立了适用于终端结构模拟的数学模型,然后,采用上、下解方法对牦尽层边界给出了一个先验估计,克服了迭代计算耗尽层边界时,由于初值选得过大或过小造成的电场、电位围绕期望值波动的现象。最后,给出了一个数值例子。
高反压器件终端结构模拟中耗尽层的先验估计
【摘 要】
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从基本半导体方程出发,用奇异摄动方法建立了适用于终端结构模拟的数学模型,然后,采用上、下解方法对牦尽层边界给出了一个先验估计,克服了迭代计算耗尽层边界时,由于初值选
【机 构】
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东南大学微电子中心低温实验室,东南大学微电子中心低温实验室南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年1期
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