PtSi-Si(P)肖特基势垒探测器的红外响应机理探讨

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外加偏压的PtSi肖特基势垒二极管(SBD)对入射的IR光有响应,该响应是由于IR光在PtSi膜中产生热空穴,其中一部分越过PtSi-Si界面的SB进入Si中而产生的结果。设PtSi中产生的空穴在PtSi中为多次反射,并预想有一多次反射模型,由此研究热空穴从SB进入Si的传输机理。再由该模型计算产生的热空穴数。最后论述IR探测灵敏度与PtSi膜厚度、表面膜材料选取的关系及3~5μmIR区的响应特性和实验结果。 An externally biased PtSi Schottky barrier diode (SBD) responds to incident IR light due to IR light generating hot holes in the PtSi film, some of which pass over the SB of the PtSi-Si interface into Si and The result. Assuming that the holes generated in PtSi are multiple reflections in PtSi and a multiple reflection model is expected, the transport mechanism of hot holes from SB to Si is studied. Then calculate the number of hot holes generated by the model. Finally, the relationship between the sensitivity of IR detection and the thickness of PtSi film, the selection of the material of the surface film and the response characteristics and experimental results of the 3 ~ 5μm IR area are discussed.
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