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对甚大规模集成电路(ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述，对现存的一些难题提出了改进方案。
ULSI多层布线中SiO2介质CMP技术
【摘 要】
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对甚大规模集成电路(ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
：
电子器件
【发表日期】
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2001年2期
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