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在10K低温下对分子束外延(MBE)生长的CdTe(111)B/GaAs(100)/CdTe(211)B/GaAs(211)B外延膜进行了光致发光(PL)测量,得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构.计算得到束缚激子的半峰宽(FWHM)分别为0.2~0.smeV和1~2meV.实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好.