【摘 要】
：
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比
【机 构】
：
中国科学院,中国科学院,中国科学院
论文部分内容阅读
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化.通过TEM、IR、XPX等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱.
其他文献
讨论了分散在SiO2中的Y2O3:Eu纳米发光材料在不同浓度和不同灼烧温度下光谱的变化规律,在室温紫外激光波长激发下不同灼烧温度下样品的发射光谱.从光谱上看到在一定浓度下随
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接
通过分子组装的方法，在相同的反应条件下，调节控制反应物铜银前驱体的反应配比，设计合成了1，8—二异氰—萜烷(L)的异金属铜银配位聚合物{[CuxAg1-x(L)2][BF4]}n(x=1．0，0．95，0．78，0．52，0．19
报道了Gd3+离子在GdB306基质中的光子级联发射特性.用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd3+6GJ能态的位置和Gd3+离子的光子级联发射光谱,Gd3+离子的第一个光子发射为6GJ→6P
以Ru(bpy)3^2+作为发光材料研制聚合物电致发光器件，分别以水溶性聚乙烯基氯化铵(PAA)和聚苯乙烯基磺酸钠(PSSTS)作为母体材料，研究了聚阴阳离子对器件性质的影响。通过对器件
研究强、弱耦合情形下,库仑场中束缚磁极化子的性质.采用改进的线性组合算符方法研究束缚磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性,对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强
YAGG:Tb微米荧光粉具有良好的发光特性,在投影电视中具有广泛的应用,在FED等新型平板显示中也有良好的应用前景.与图像清晰度有密切关系的是荧光粉的粒径大小,粒径越小分辨率
制备了一种新型的上转换发光材料,它不仅具有较高的上转换发光效率,而且还避免了氟化物基质的缺点.其组分为58.52%PbF2-34.43%CeO2-3%A12O3-0.05%Er2O3-4%Yb2O3,其中CeO2为玻
以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成.研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al2O3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜.使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射