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直拉硅单晶中氮关新施主的研究
直拉硅单晶中氮关新施主的研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:redbattleline
【摘 要】
:
研究了微氮硅单晶在600 ̄900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要的影响。明确提出含氮直拉硅中存在不同二传统新施主的以氮硅氧复俩体为核心中心的新型氮关新施主NND,其
【作 者】
:
张溪文
阙端麟
【机 构】
:
硅材料科学国家重点实验室,浙江大学
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1998年8期
【关键词】
:
直拉硅单晶
硅单晶
硅材料
氮关新施主
ImpuritiesNitrogen
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研究了微氮硅单晶在600 ̄900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要的影响。明确提出含氮直拉硅中存在不同二传统新施主的以氮硅氧复俩体为核心中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成特性受氮杂质的较大影响,对其形成机制也作了初步探讨。
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