以碳纳米管实现真正的3D芯片

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美国史丹佛大学(Stanford University)的研究人员们在国际电子元件会议(IEDM)上展示了真正的3D芯片。大部份的3D芯片采用硅穿孔(TSV)的方式推叠不同的制造芯片,例如美光科技(Micron Technology)的混合存储器立方体(HMC)推叠DRAM芯片颗粒。
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