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P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究
P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究
来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:AFI123456
【摘 要】
:
用分子束外延的方法GaAs衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好,在适当的热处理条件,材料P型电学参数达到了
【作 者】
:
王善力
张勤耀
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室半导体薄膜材料研究中心,中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
:
红外与毫米波学报
【发表日期】
:
1996年5期
【关键词】
:
分子束外延
P型
HGCDTE
MBE
IRFPA
PHgCdTe
【基金项目】
:
国家863高技术和中国科学院资助
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用分子束外延的方法GaAs衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好,在适当的热处理条件,材料P型电学参数达到了较高水平,并具有良好的可重复性。
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