永久性单粒子效应机理

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在将来的微电子器件中,有源区的面积可能缩小到1μm~2以下。本文提出了一种单个高能离子可能永久地损伤、甚至完全破坏这种微电子器件的机理。用扫瞄电子显微镜(扫瞄电子显微镜按电子束感应电导率模式工作),已从实验上证实了这种机理。该实验证明了注入到硅中的各个磷离子引起的损伤。已观察到这种损伤的载流子俘获截面,其面积为0.5至0.8μm~2。 In future microelectronic devices, the area of ​​the active region may be reduced to less than 1 μm. This paper presents a mechanism by which a single high-energy ion may permanently damage or even completely destroy such microelectronic devices. This mechanism has been experimentally confirmed with a scanning electron microscope (scanning electron microscope operating in electron beam induced conductivity mode). This experiment demonstrates the damage caused by each phosphorus ion injected into the silicon. A carrier capture section of this lesion has been observed with an area of ​​0.5 to 0.8 μm 2.
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