P型GaAs欧姆接触的制作

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hahahaha8

【摘要】

：

在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，使用Ti／Pt／Au作为欧姆接触金属效果更好，合金对

【作者】

：

杨立杰李拂晓蒋幼泉陈新宇

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

P型欧姆接触砷化镓合金接触电阻率 P-type ohmic contact GaAs thermal annealing specific cont

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在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，使用Ti／Pt／Au作为欧姆接触金属效果更好，合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显，合金后Ti／Pt／Au的接触电阻率可达到3．08×10^-5Ω·cm^2。

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