论文部分内容阅读
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结，并给出AlN的最佳生长条件。
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展
【摘 要】
：
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结，并给出AlN的最佳生长条件。
【机 构】
：
浙江大学硅材料重点实验室
【出 处】
：
真空科学与技术学报
【发表日期】
：
2006年4期
其他文献
设计了测量诊断中性束(DNB)束功率及束密度剖面的束功率测量方案,采用热电偶测量束线轰击功率测量靶板后靶面的温升信号,经热电偶信号调理器调制放大后,由数据采集卡采集到现
上海光源储存环采用分散分布的光子吸收器来吸收全部不用的弯铁同步辐射光（SR）并准直引出实验光束。光子吸收器的结构设计需考虑多种因素，如同步辐射的功率分布、吸收面的功率稀
风险投资是一种具有金融功能的特殊投资形式,其运用过程通常包括:筹资、投资、管理及退出等阶段.外商风险投资可以选择在筹资、投资的阶段来到我国进行运作.但是我国的投资法
中亚地区油气资源丰富，成为美俄等大国外交角逐的舞台，其中既有冲突又有合作；而石油外交中交织着经济和政治、军事等因素，运用政治经济学的解释非常必要。中国参与中亚石油博弈是
从被多菌灵污染的湖南红壤土中分离到一株能以多菌灵为唯一碳源和能源生长的菌株1-1,该菌在含酵母膏多菌灵(500mg/L)的无机盐培养基中与无酵母膏的多菌灵(500mg/L)无机盐培养
手术为主的综合治疗仍是低位直肠癌治疗首选方案,也是取得根治的唯一手段,尽管经腹会阴联合切除术是低位直肠癌的标准术式,然而永久性造口带来的生理及心理问题一直是低位直
随着中国加入世界贸易组织,面对激烈的竞争形势,提升我国彩电行业的整体竞争力已是我国彩电行业必须面对的一项重要课题.通过对我国彩电行业营销质量建设的纵向、横向比较,提
利用中频直流磁控反应溅射法（MF-DC-MS）在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌（AZO）透明导电薄膜。利用x射线衍射（XRD）、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光
本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光