Si基GaN相关论文
随着无线通信的发展,诸多问题涌现,例如频谱资源逐渐紧缺、对环境的污染、应用场景的限制和安全性较低等,可见光无线通信逐渐进入......
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD).探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆......
宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,在高频、高压、高温和大功率器件领域具有重要的......
第三代半导体材料GaN，InN，A1N及其合金材料都具有优异的物理化学特性，特别是对于直接带隙的三元合金AlxGa1-xN(0......
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250－360nm有近......
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结，并给出AlN的......
近年来,Si基GaN材料及器件研究的关注度越来越高。Si基GaN材料具有两方面的主要优势：一方面是源于Si基衬底材料。Si衬底具有成本低......
第三代半导体材料中的ZnO和GaN的禁带宽度都在3.4 eV左右，它们的发光波长在紫外波段，这个属性使得它们在半导体材料中处于不可取代的......
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的......
期刊
GaN器件在经过近十年的高速发展后,相比于传统硅基MOSFETs,其在高速、高效、高功率应用领域已展现出越来越明显的性能优势。为充分......
