宜普推出第二代200V增强型氮化镓功率晶体管:EPC2010

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宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25 m&Omega,栅 EPCOS announced the launch of the EPC2010, the newest addition to the second generation of eGaN field-effect transistor (FET) families, offering superior performance that is both environmentally friendly and lead-free, and complies with the RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directive. The EPC2010 FET is a 200VDS device with a maximum RDS (ON) value of 25 mΩ and gate
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