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采用电子柬蒸发方法，在Ge衬底上淀积La2O3高k栅介质，研究了O2、NO、NH3和Nx不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C—V和I-V特性，并进行了高场应力实验。结果表明La2o3在N2气氛中退火后，由于形成稳定的LaGeOX而有效地降低了QQX和DIT从而获得低的栅极漏电流，同时获得较高的栅介质介电常数（18）。