【摘 要】
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提出了一种基于支节加载GaN-FET的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-FET管芯构成。通过对单支节加载GaN-FET移相器电路模型的详细分析，得到了移相器的插损和相移表达式，并将其作为基本单元进行拓展可得到满足所需工作带宽的多支节加载GaN-FET移相器。由于采用了高阻抗微带线支节，该移相器具有大功率处理能力。结合理论分析，对多支节
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提出了一种基于支节加载GaN-FET的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-FET管芯构成。通过对单支节加载GaN-FET移相器电路模型的详细分析，得到了移相器的插损和相移表达式，并将其作为基本单元进行拓展可得到满足所需工作带宽的多支节加载GaN-FET移相器。由于采用了高阻抗微带线支节，该移相器具有大功率处理能力。结合理论分析，对多支节加载GaN-FET移相器进行了设计、加工和测试。测试结果表明，所加工的移相器在9.2～9.8 GHz范围内，通过控制GaN FET的关断实现了30°和60°两种相移状态。同时，移相器功率承受能力大于10 W，插损优于1 dB，控制电流小于6μA。
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