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为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用“EET”理论中的键距差法（BLD法）,计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程。
Al-Mg-Si合金时效强化初期的价电子理论研究
【摘 要】
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为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用“EET”理论中的键距差法（BLD法）,计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合
【机 构】
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辽宁工学院材料与化学工程学院,东北大学,锦州师范高等专科学校
【出 处】
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兵器材料科学与工程
【发表日期】
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2007年4期
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