高功率脉冲源双锥负载不同端接状态的辐射特性分析

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhut2009
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高功率脉冲源的双锥负载,在调试过程中将辐射强电磁波,对周围电子设备造成严重干扰。论文采用时域有限差分(FDTD)法,对双锥天线的近场辐射过程进行模拟计算,考察双锥终端分别为开路、短路和连接电阻负载三种状态下的电磁辐射特性,证明用电阻线连接双锥终端,可以同时抑制终端反射和空同辐射,保护脉冲源自身和电子设备。最后给出实验室内关键位置处的电磁骚扰水平。
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