【摘 要】
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在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所 北京 100083,北京 100083
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在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(Si)_2也是间接带,导带最低点在布里渊区M点附近。给出了禁带宽度及自旋轨道分裂值,并与有关的理论和实验做了比较。
In the approximation of local density, the energy band structures of short-period superlattices Ge1_1 and Si2_2 were calculated by self-consistent pseudopotential method. The results show that (Ge) _1 (Si) _1 is an indirect band with the lowest point of conduction band at point X in the Brillouin zone. (Ge) _2 (Si) _2 is also an indirect band with the lowest point in the Brillouin zone near point M. The band gaps and spin-orbit splitting values are given and compared with the related theories and experiments.
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