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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jrno1213
【摘 要】
:
电阻耦合型神经MOS晶体管是在电容耦合(浮栅)型神经MOS晶体管基础上提出来的,它克服了电容耦合型神经MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点.文中介绍了电阻耦合型神经MOS晶体
【作 者】
:
王明宇
汤玉生
管慧
【机 构】
:
上海交通大学微电子技术研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2002年2期
【关键词】
:
电阻耦合型
神经MOS晶体管
差分四象限模拟乘法器
场效应
栅电压值
金属-氧化物-半导体晶体管
the resistance coupling neuron
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电阻耦合型神经MOS晶体管是在电容耦合(浮栅)型神经MOS晶体管基础上提出来的,它克服了电容耦合型神经MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点.文中介绍了电阻耦合型神经MOS晶体管的基本结构和特点,并将它应用于差分四象限模拟乘法器.
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