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通过实验对纳米线探测NH3时电导增大这一结论的适用条件进行了补充。研究了传感器响应与纳米线氧空穴掺杂浓度的关系。对比实验结果表明:在检测NH3气体时高掺杂的纳米线电导降低,低掺杂的纳米线电导增大。此外,还观察了纳米传感器暴露在高浓度NH3中产生的“门屏蔽效应”,这是由于NH3分子吸附在In2 O3纳米线上成为电荷陷阱导致的。