论文部分内容阅读
本文考察了半导体不稳定性机理,以便更好地了解这一非常复杂的现象。有了这种深入了解,在设计和生产中,就可将半导体的不稳定性降至最小。给出了下面几个问题的基本设想、图表和参改资料;由SiO_2上表面电荷引起的不稳定性;氧化物表面上的导电/横向电荷扩散;SiO_2内电荷引起的不稳定性;双层介质结构中的不稳定性;发射极-基极结雪崩引起的h_(FE)退化,以及寄生作用引起的不稳定性。介绍了减少制造组装失效的实例研究。本文叙述了其电学现象(如h_(FE)下降)的原因及应采取的正确措施。该研究体现了厂商与用户携手合作,