【摘 要】
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发展波长最短的、基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED),必然要依靠高比例的铝(AI)。AIN的带隙在适用于制作LED的氮化物中是属于最高的,而且有可能被用于短至200nm的波长。现在
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发展波长最短的、基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED),必然要依靠高比例的铝(AI)。AIN的带隙在适用于制作LED的氮化物中是属于最高的,而且有可能被用于短至200nm的波长。现在,美国Crystal IS公司正在为美国的半导体紫外光源(SUV0S)计划提供单晶AIN衬底。
The development of the shortest wavelength, gallium nitride (GaN) based light-emitting diode (LED), must rely on a high proportion of aluminum (AI). The band gap of AIN is among the highest in nitrides suitable for making LEDs and is likely to be used for wavelengths as short as 200 nm. Now Crystal IS, the US company, is offering single-crystal AIN substrates for the U.S. SUVs.
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