【摘 要】
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为了改善深亚微米CMOS器件p^+-poly栅中硼扩散问题，通过选择合适的注氮能量和剂量，采用多晶硅栅注氮工艺，既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数，又在栅介质内引入浓度适宜的氮，有
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为了改善深亚微米CMOS器件p^+-poly栅中硼扩散问题，通过选择合适的注氮能量和剂量，采用多晶硅栅注氮工艺，既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数，又在栅介质内引入浓度适宜的氮，有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移，改善了Si／SiO2界面质量，提高了栅介质和器件的可靠性，制备出了性能良好的4．6nm超薄栅介质。
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