【摘 要】
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本文从多模速率方程出发,推导了以注入电流比 I/I_(th)表示的单模工作下限与腔长 L、腔面反射率 R 的关系式;采用微解理技术,研制了具有双面微解理腔面的短腔 InGaAsP 半导体
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本文从多模速率方程出发,推导了以注入电流比 I/I_(th)表示的单模工作下限与腔长 L、腔面反射率 R 的关系式;采用微解理技术,研制了具有双面微解理腔面的短腔 InGaAsP 半导体激光器。器件的激射波长为1.3μm,在一定的注入后,呈现单纵模工作。微解理技术的实现,为今后研制复合腔激光器和光集成器件提供了一条途径。
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