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给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱（DTRS）技术的细节描述，同时在超薄栅氧化层（＜3nm）中给出了该技术的具体应用。通过该技术，超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现，这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱。更进一步的研究发现，直接隧穿应力下超薄栅氧化层（＜3nm）中的界面／氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN应力下厚氧化层（＞4nm）中界面／氧化层陷阱的密度和俘获截面，同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面。