论文部分内容阅读
给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(<3nm)中给出了该技术的具体应用。通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱。更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(<3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN应力下厚氧化层(>4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面。