微波铁氧体0-π调制器最佳载波抑制度的研究

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本文从提高微波铁氧体调制器的载波抑制度P _(?)出发,从信息空间到信号空间的一般映射过程中找出载波能量最大限度转移到边带的条件.并且对铁氧体调制器的转移条件进行了详细推导,得出引起线余载波因素的公式.P_(?)的计算值与实测值基本上一致.本文还推导出调制损耗公式,一般情况下,当调制器和激励器的参数:T_(12)、ρ_1、ρ_1、ρ_2、δ、τ_u/T,以及西△_+、△_-愈小,调制损耗L_M(db)就愈小多 在δ=0,T_(12)=1,ρ_1=ρ_2=0的理想调制情况下,得出L_N=.96 db,这是与任何0—π调制器的最佳调制损耗数值一致的. In this paper, starting from increasing the carrier suppression P _ (?) Of the microwave ferrite modulator, the maximum transfer of carrier energy to the sidebands is found during the general mapping from the information space to the signal space, and the ferrite modulation The transfer conditions of the device were deduced in detail, and the formula that caused the line residual carrier was obtained.The calculated value of P_ (?) Was basically the same as the measured value.The modulation loss formula was also deduced in this paper.In general, The smaller the parameter of T_ (12), ρ_1, ρ_1, ρ_2, δ, τ_u / T and the west △ _ +, △ _-, the smaller the modulation loss L_M (db) is at δ = 0, T_ 12) = 1, ρ_1 = ρ_2 = 0, we get L_N = .96 db, which is consistent with the best modulation loss value of any 0-π modulator.
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