在PCVD过程中衬度温度对Si沉积膜的影响

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本文研究了PCVD过程中,不同衬底温度对Si沉积膜中凝聚颗粒大小、结晶状态以及生长速率的影响。并对其实验结果进行了相应的讨论。 In this paper, the effects of different substrate temperatures on the size, crystallinity and growth rate of agglomerated particles in Si deposited films were investigated during PCVD. And the corresponding experimental results were discussed.
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