论文部分内容阅读
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.
半绝缘InP长单晶的生长
【摘 要】
：
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采
【机 构】
：
天津大学电子信息工程学院,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北工业大学信息工程学院,天津农学院机电工程系
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2007年z1期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276008)
其他文献
研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程，并成功进行了流片试验．测试结果显示，
自1997～2002年,我院采用小夹板固定骨折的方法,配合辨证施护和功能锻炼,治疗四肢骨折183例,取得满意的效果,现将护理体会介绍如下.
为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性，提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路，该压控振荡器电路采用0．25μm 1P5MCMOS工艺实现．一种新型开关阶跃
对于水下作战，目标识别十分困难，因此必须走多传感器融合、多技术融合的道路，应分析研究不同的方法优缺点，取长补短，综合处理。本文比较了不确定性推理技术中主观Bayes方法与证据
对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,
提出了一种新型基于法布里-珀罗（F-P）微腔的发光器件结构，它采用PECVD方法制备的非晶硅/二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔，非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层，通过对一维方向光
首先分析了腔镜加工误差对输出耦合率及光束的影响;其次用几何光学方法分析了主、次腔镜失调灵敏度,并利用光学仿真软件GLAD模拟了腔镜失调对光束近场、远场及桶中功率（PIB）的
对数模转换器(DAC)中温度译码转换矩阵的开关选取顺序进行了研究，在SG(sort and group)算法基础上，提出了一种新的补偿DAC转化矩阵中梯度误差(gradient error)的开关选取算法．新
周围性面瘫是临床上见多发病,发病季节以春秋二季为多.祖国医学认为此病的发病机理主要是正气不足,脉络空虚,营卫失调,卫外不固,风寒之邪乘虚侵袭面部筋脉,导致气血痹阻,面部
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达490mA／mm，截止频率为75GHz，比同样工艺条件下GaA