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期刊论文
内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baobeizhu66
【摘 要】
:
以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现。
【作 者】
:
李煜
李瑞伟
王纪民
【机 构】
:
清华大学微电子学研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2003年5期
【关键词】
:
设备模型
离子注入
工艺模拟
沟道效应
编程
equipment model
process simulation
ion implantation
chann
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以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现。
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