p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haoxiaoye

【摘要】

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运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制

【作者】

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王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚章蓓张国义

【机构】

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北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

P-GAN 传输线镜像力 Ni/Au电极

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)

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运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.

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