论文部分内容阅读
从市场经济的观点着重分析了２０００年半导体的销售及市场、产品、工艺技术、可靠性等情况。
2000年的半导体
【摘 要】
：
从市场经济的观点着重分析了２０００年半导体的销售及市场、产品、工艺技术、可靠性等情况。
【机 构】
：
无锡元件四厂江苏无锡214002
【出 处】
：
半导体技术
【发表日期】
：
1993年6期
其他文献
【正】鄂政发[2008]23号各市、州、县人民政府,省政府各部门:罗坡坝水电站是恩施市重点水利电力建设项目。为维护库区和坝区的正常秩序,保证工程建设和移民搬迁安置工作顺利
利用ＡｌＧａＡｓ的水汽氧化技术（湿法氧化）成功地在ＡｌＧａＡｓ层上生长出基质氧化膜。测量表明：膜厚为１００－２００ｎｍ，折射率范围为１．６－１．８。该膜具有优良的电绝缘特性，电阻率大于１０＾１０Ω．ｃｍ击穿场强大于５×１０＾６Ｖ／ｃｍ。硅上用ＭＢＥ生长的ＱＷ－ＧａＡｓ材料在生
本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
【正】鄂政发[2009]44号各市、州、县人民政府,省政府各部门:近年来,我省积极开展引智工作,聘请了一大批外国专家为全省经济社会发展服务。广大外国专家在各自工作岗位上勤勤
服务业的发展状况与发展水平是衡量一个地区现代社会经济发达程度的重要标志。武威是西部欠发达地区，是西部地区的缩影，本文以武威市为例阐述了武威市服务业发展的现状、存在的
物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状
【正】鄂政办发[2009]100号各市、州、县人民政府,省政府各部门:省卫生厅、省财政厅、省人力资源和社会保障厅、省民政厅《关于进一步巩固和完善新型农村合作医疗制度的意见
本文介绍了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD在室温下的静态光电特性,报道了I_d-V、I_p-V、M_p-V及过剩噪声系数F的测量结果,指出了该器件‘光死区’电压范围和最大光倍增因子M_p