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分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:visualerren
【摘 要】
:
运用透射电子显微镜分子束外处的立方相GaN/GaAs异质微观结构,在GaN外延层中,观察到大量的,不对称的〈111〉面缺陷,以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论。
【作 者】
:
韩培德
杨海峰
杨辉
林耀望
张泽
李新峰
周增圻
【机 构】
:
中国科学院凝聚态物理中心,中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
氮化角
砷化镓
电子显微分析
分子束外延
Electron microscopy
Microstructure
Molecular beam epitaxy
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运用透射电子显微镜分子束外处的立方相GaN/GaAs异质微观结构,在GaN外延层中,观察到大量的,不对称的〈111〉面缺陷,以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论。
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