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对六价镀铬的工艺进行研究,在45℃、电流密度为15A·dm^-2时电沉积出光亮平整、无缺陷的铬膜。在此基础上在纯铁基体上电沉积制备出一系列不同厚度的铬薄膜,并对其残余应力进行测量和研究。结果表明：Cr膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力,由于Cr膜在较薄时残余应力的骤降,可判断出其残余应力主要来自于Cr膜的界面应力,与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng（TFDC）电子理论的判断结果相一致。