【摘 要】
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设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器，并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应。0．5pmCMOS工艺条件数值模拟结果显示，在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应
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设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器，并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应。0．5pmCMOS工艺条件数值模拟结果显示，在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应度都在0．2A／W以上，尤其是在短波长处效果比一般的探测器要好。还就反向偏压以及CMOS工艺中介质与钝化层等因素对探测器响应度的影响进行了讨论。
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