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大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究
大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究
来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhyj747
【摘 要】
:
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高
【作 者】
:
潘教青
黄柏标
张晓阳
任忠祥
秦晓燕
朱宝富
李先林
【机 构】
:
山东大学晶体材料国家重点实验室,山东华光光电子有限公司
【出 处】
:
量子电子学报
【发表日期】
:
2003年6期
【关键词】
:
金属有机物化学气相沉积
生长中断
应变缓冲层
应变量子阱激光器
INGAAS/GAAS量子阱
strain quantum well laser diodes
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金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet).
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