【摘 要】
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氧是太阳能级单晶硅中的主要杂质之一,其主要来源于石英坩埚。在晶体生长过程中,熔体对流的强弱对石英坩埚的分解起着至关重要的作用。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了
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氧是太阳能级单晶硅中的主要杂质之一,其主要来源于石英坩埚。在晶体生长过程中,熔体对流的强弱对石英坩埚的分解起着至关重要的作用。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气流量与氧边界层的关系。研究结果表明,石英坩埚的分解与氧的边界层厚度有关,而熔体内对流,特别是坩埚壁附近对流的强度对氧边界层会产生显著的影响;通过对固液界面氧含量结果的分析,验证了石英坩埚的分解与侧壁对流的强弱(即边界层的厚度)有关。
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