基于计算机的并行工程框架

来源 :航空工艺技术 | 被引量 : 8次 | 上传用户:liongliong500
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,随着日趋复杂、精密的工具在产品生命周期分析中的应用、研究,集成设计环境中的基本框架的建立理应被看作是并行工程成功实现的必然要求。本文研究了基于计算机的并行工程基本框架、数据交换,以及多目标设计的权衡分析。
其他文献
用电子束反应蒸发法制备了的a-Si:H膜和Al2O3膜组成的a-Si:H/Al2O3膜系,解决了a-Si/Al2O3膜系在808nm波长有较强光吸收问题,吸收系数从2×10^3cm^-1降低到可以忽略的程度,a-Si:H膜的光学带隙为1.74eV左右,应用到808nm大功率量子阱激光器腔面底膜
情境教学法是指在教学过程中,教师有目的地引人或创设具有一定情绪色彩的、以形象为主体的生动具体的场景,以引起学生一定的态度体验,从而帮助学生理解教材,并使学生的心理机
本文将五元系为分两大类,并提出用三维空间中的立体图形显示五元系化合物的组分分布;提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式,并在此基础上计算了与GaAs衬
根据高等学校土木工程材料课程建设的培养目标,结合独立学院培养应用型人才的需求,分析了土木工程材料培养计划中存在的主要问题,提出只有采用多种教学形式,积极进行教学改革
介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even Snapshot Charge Amplifier)结构。该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管;采用两个低功耗设计的
Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGe中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得到
日前,由徐工科技股份有限公司实施的“大型施工机械技改项目”顺利通过了国家验收委员会的综合验收,并投入生产使用。该项目是国家重点技术改造第2批“双高一优”和第7批“国债
采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管,在氧气氛350度低温沉积,原位530度快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb(Zr0.52Ti0.48)O2(PZT)
研究了20~50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS
全球性的网络化、信息化进程正改变着人们的生活方式,Internet技术应用以及电子商务的飞速增长给人们生活工作的各个层面带来了深刻数的影响。回顾我国政务信息化的进程,大致可