低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:L175913
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采用俄歇电子能谱(AES)和傅里叶红外光谱(FTIR)分析低温PECVD法形成纳米级SiOxNy介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能.研究结果表明:该介质膜中氮、氧等元素均匀分布,界面处元素含量变化激烈;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异;该薄膜是既含有类似Si3N4、又含有类似SiO2的非晶状态,呈现无序网络结构;随着含氮量或含氧量的增多,该膜分别向Si3N4或SiO2成分较多的结构转化;优化制膜工艺形成的富氮SiOxNy膜的性能与结构方面得到提高.
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