碳纳米管阵列是高密度能量存储装置和制冷系统高效芯片的基础。但是，这些装置的性能依赖于碳纳米管的质量及其陈列组合的精确结构，所以，包括美国密歇根大学的机械工程助理教授阿娜斯塔西奥斯·约翰·哈特(Anastasios John Han)在内的研究人员们，正在改进技术以生成高质量碳纳米管的细微结构“森林”。哈特用扫描电子显微镜获得了这些图像，显示的都是竖直生长的碳纳米管。
　　这是生长在硅片或者铭刻在晶片腔里的碳纳米管图像的组合每个树茎状的结构都由成千上万以上的碳纳米管组成，可以看到像黑色阴影一样、在碳纳米管底下，使碳纳米管开始生长的催化剂。看起来枯萎了的结构，是在其生长过程中，由于液体的蒸发而导致的萎缩。
　　上面复杂的交错图案由碳纳米管组成，从硅片上的催化剂图案生长而来。放入热室的晶片由乙烯或其他含碳气体所充满。晶片上涂有催化剂的地方，纯净的碳纳米管以很快的速度生长，哈特表示，如果把碳管比喻为直径一英尺的一棵树，这棵树以相同的速度生长的话，那么每小时能生长500英里(约804.5千米)那么高。对页上可以看到更多放大的图像，一小部分纳米管(每个纳米管有5～10纳米)，正在缝隙上搭桥。
　　分子内力使碳纳米管之间相互粘连。随着纳米管的迅速生长，它们可以彼此推拉，加速生长。但是，如果条件没有达到最佳，比如被激活的催化剂太多或太少，这种相互间的粘连(其他因素之中)可能会使纳米管形成缠结、花饰、断层线和其他一些结构(左图)。通过利用这些不同的趋向特性，哈特可以制作更多复杂如上图中弯曲的“手指”样的结构，可以用来做传感探头类的东西。