【摘 要】
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利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海宏力半导体制造有限公司,中国科学院研究生院
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利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作为高尼电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法。
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