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通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构，对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
【摘 要】
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通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构，对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。
【机 构】
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武汉大学物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2000年6期
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