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从电路结构入手,分析了工作在某空间光学遥感器中的Flash存储器在空间环境下由电离辐射(总剂量)效应造成器件失效的机理。认为电离作用使晶体管的阈值电压漂移,引起Flash的控制电路与存储单元失效,且相对于浮栅结构的存储单元,控制电路对辐射更敏感;陷阱电荷的积累使器件的静态电流、动态电流增大。对器件进行了60Coγ射线总剂量辐射实验,得出器件的失效阈值在15~20 krad(Si),并验证了上述分析结果。提出了N模冗余、校验码、冷备份等抗辐射加固方法。