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提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术．这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺，局部增加电感下方的氧化层厚度，以降低衬底损耗和提高电感性能．所采用的结构及工艺简单、成本低廉，与CMOS工艺兼容良好．用这种技术制作的几种不同电感量的方形螺旋电感、品质因数和自谐振频率均显著提高．10，5和2nH的电感，品质因数的峰值分别提高了46．7％，49．7％和68．6％；而自谐振频率的改善更明显，分别达到了92．1％，91．0％及不低于68．1％．